TY - JOUR ID - 4866 TI - شبیه‌سازی گاز دوبعدی در ALGaN / GaN HEMT و بررسی ولتاژ شکست آن JO - مهندسی صنایع و مدیریت JA - J65 LA - fa SN - 2676-4741 AU - فائز, رحیم AD - دانشکده‌ی مهندسی برق، دانشگاه صنعتی شریف Y1 - 2007 PY - 2007 VL - دوره 23 IS - 38 - ویژه مهندسی برق و کامپیوتر SP - 3 EP - 9 KW - - DO - N2 - از چند ساختاره A‌l‌G‌a‌N/G‌a‌N در ادوات قدرت استفاده می‌شود بنابراین داشتن چگالی جریان و ولتاژ شکست بسیار مهم است. در قسمت اول این نوشتار، اثر پارامترهای مختلف بر چگالی گاز دوبعدی الکترون بررسی شده و بهترین حالت‌ها مشخص شده‌اند. همچنین نشان داده شده است که در بعضی حالات حفره‌ها در سطح فوقانی A‌l‌G‌a‌N جمع می‌شوند، امّا به‌علت وجود ترازهای تله در هیچ آزمایشی مشاهده نشده‌اند. در بخش بعدی اثر وجود تله‌ها بر چگالی گاز دوبعدی مورد بحث قرار گرفته است. در انتها درباره‌ی روش‌های زیادکردن ولتاژ شکست بحث شده و با شبیه‌سازی برای یک حالت نحوه‌ی زیادشدن ولتاژ شکست نشان داده شده است. UR - https://sjie.journals.sharif.edu/article_4866.html L1 - https://sjie.journals.sharif.edu/article_4866_a7304a2ed12435796866343ecda0384a.pdf ER -